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动态随机存储器 - SAMSUNG三星半导体

三星先进的存储器技术带给您非凡的性能体验，三星 DRAM 凭借众多计算解决方案促进创新并提升性能，包括 PC 和适用于先进 AI 应用的服务器。

四代双倍数据率同步动态随机存储器：高性能存储器可为更快速、更强大的解决方案提供支持。凭借更宽的带宽、更高的可靠性和更低的能耗，三星 DDR4 可带来出色体验。

性能大幅提升

- 带宽显著提升，最高可达 3,200 Mbps

DDR4 能够以出色的速度传输更多数据，它提供 4 个储库组（共 16 个储库）以降低交错延迟，另外还具有 3,200 Mbps 带宽和 1TB/s 系统内存，因此可以更快速地轻松处理大量工作负载*。

低能耗，高能效

- 先进工艺技术

- 减少内核及通电/断电次数

凭借三星业界先进的 1x 纳米制程技术，DDR4 可在提高性能、降低总体拥有成本的同时减少能耗。1.2V POD (低操作电压和伪漏极开路) 接口可实现更低的功耗，其能耗降低了 25%*。

三代双倍数据率同步动态随机存储器：三星业界先进的 DDR3 于 2005 年开发而成，是应用极为广泛的系统解决方案，无论是在 PC 和家用电器还是在汽车设备中，都得到广泛应用。

速度快，性能高

- 带宽是 DDR2 的两倍

由于带宽和可靠性得到提升，三星 DDR3 在笔记本电脑、台式机和工业解决方案（包括汽车）等设备中得到广泛应用，且速度均为 DDR2 的两倍*。

功耗低、能效高的 DRAM 解决方案

- 与 DDR2 相比，功耗降低达 30%

三星业界先进的 30 纳米级 DRAM 能耗更低，与上一代产品相比，能耗减少了 30%，进而降低了总体拥有成本*。

高带宽存储器 Aquabolt：从下一代超级计算到人工知能 (AI) 和图形密集型技术，三星一直处于技术前沿，最新开发的先进 8GB HBM Aquabolt 是精心设计的高带宽存储器，相对于其前一代 HBM Flarebolt，Aquabolt 极大地提高了性能并降低了能耗。

各层级性能强大

一个系统中仅有四个 Aquabolt 封装，工作性能可达到惊人的每秒 1.2 TB 的速度。相对于传统 HBM Flarebolt 产品，Aquabolt 的性能提高了 20%，最高可实现 1024 输入/输出 (I/O)，每针脚速度达到 2.4 Gbps （1.2V 电压下）- 这使三星当前提供的 DRAM 具备最快的数据传输速度。307.2GB/s 的强大数据带宽，创造出几乎比 8 吉比特 (Gb) GDDR5 芯片快 10 倍的数据传输速度。

能效优化

创新性的 Aquabolt 内部设计增强了能效，与上一代产品相比，可将写入能耗降低约 20%，交错能耗降低约 25%，读取能耗降低几乎 30%

可靠性增强

为了增强热控制和耐用性，相对于上一代 HBM，Aquabolt 的每一个立方都包含多个热块和一个新的保护性底层，用于预防来自直接接触体的压力、冲击和颗粒可能导致的错误和数据丢失。

高带宽存储器 Flarebolt：通过在更小的空间内实现高带宽、快速数据传输、先进的图形处理和新一代网络连接，三星 HBM Flarebolt 对存储器进行了革新。

升级到更高级别的高性能计算 (HPC)

- 速度比 GDDR5 快 8 倍*

- 1TB/s 的系统存储器带宽

三星的 HBM Flarebolt 提供了超快的性能，以及速度得到显著提升的 1,024 输入/输出 (I/O) 和 1TB/s 的系统存储器带宽（8 个通道时为 256GB/s）。HBM Flarebolt 创纪录的数据传输速度符合 AI 和机器学习等新型 IT 行业不断增长的市场需求。

经过证实的可靠性及更低的功耗

- 能效提高 20%

与 GDDR5 的 1.5V 操作电压相比，三星 HBM Flarebolt 的 1.35V 操作电压使功耗减少了 20%，因此可以更有效地控制功耗*。