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K4FHE3D4HM-MFCJ
  • 制造厂商:三星半导体(SAMSUNG)
  • 类别封装:低功耗双倍数据率同步动态随机存储器,200FBGA
  • 技术参数:SAMSUNG DRAM NAND
  • (专注销售三星半导体芯片,承诺原装!现货当天发货!)
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    专营三星芯片半导体
    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案,三星半导体授权中国代理商
    技术参数详情:
  • 三星芯片型号:K4FHE3D4HM-MFCJ
  • 制造商:SAMSUNG(三星半导体)
  • 功能类别:低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
  • 容量:24Gb
  • 架构:x32
  • 速率:3733 Mbps
  • 工作电压:1.8 / 1.1 / 1.1 V
  • 工作温度:-40 ~ 95 °C
  • 封装:200FBGA
  • 产品状态:批量生产
  • 现在可以订购K4FHE3D4HM-MFCJ,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。
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