三星芯片中国代理商联接渠道
强大的三星半导体芯片现货交付能力
K4F6E3D4HB-MHCJ
制造厂商:三星半导体(SAMSUNG)
类别封装:低功耗双倍数据率同步动态随机存储器,200FBGA
技术参数:SAMSUNG DRAM NAND
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技术参数详情:
三星芯片型号:K4F6E3D4HB-MHCJ制造商:SAMSUNG(三星半导体)功能类别:低功耗双倍数据率同步动态随机存储器容量:16Gb架构:x32速率:3733 Mbps工作电压:1.8 / 1.1 / 1.1 V工作温度:-40 ~ 105 °C封装:200FBGA产品状态:批量生产现在可以订购K4F6E3D4HB-MHCJ,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。